Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 275 W
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 28
Encapsulation parameters/Encapsulation: M636
External dimensions/length: 107.5 mm
External dimensions/width: 45 mm
External dimensions/height: 17 mm
External dimensions/packaging: M636
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
6MBI100VA-060-50
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FUJI | 类似代替 | M636 |
IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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6MBI100VA-120-50
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FUJI | 类似代替 | M636 |
IGBT 模块，6 包，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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6MBI50VA-120-50
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FUJI | 完全替代 |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 31Pin
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