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Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/voltage regulation value: 3.3 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-35
External dimensions/packaging: DO-35
Other/Product Lifecycle: Unknown
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BZX55C3V3
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ST Microelectronics | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3
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VISHAY | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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Rectron Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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Semelab | 功能相似 | SOT-23 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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Yangzhou Yangjie Electronic | 功能相似 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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先科ST | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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Good-Ark Electronics | 功能相似 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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Taiwan Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3
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ON Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3
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Continental Device | 功能相似 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3
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DC Components | 功能相似 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3
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Rectron | 功能相似 | DO-35 |
BZX55C 系列 500 mW 3.3 V 115 mA 通孔 齐纳二极管 - DO-35
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BZX55C3V3RL
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TAK Cheong | 功能相似 | DO-35 |
DO-35 3.3V 0.5W(1/2W)
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