Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 60 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.6A
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-18
External dimensions/packaging: TO-18
Other/Product Lifecycle: Unknown
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Raytheon | 类似代替 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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NTE Electronics | 类似代替 | 3 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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Micro Commercial Components | 类似代替 | TO-206 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | TO-92 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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ON Semiconductor | 类似代替 | CASE 206AA-01 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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ST Microelectronics | 类似代替 | TO-18 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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Microsemi | 类似代替 | TO-18-3 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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KEC | 类似代替 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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Taitron | 类似代替 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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2N2907A
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Central Semiconductor | 类似代替 | TO-18 |
2N 系列 60 V 600 mA PNP 通孔 硅 晶体管 - TO-18
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