Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 55 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 100A
Technical parameters/rise time: 25 ns
Technical parameters/descent time: 24 ns
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Other/Manufacturing Applications: Valves control, Lighting, Solenoids control, Single-ended motors
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IPP80N06S2L-H5
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Infineon | 类似代替 | TO-220-3 |
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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SPI80N06S2-07
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Infineon | 功能相似 | TO-262-3-1 |
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
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SPP100N06S2L-05
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Infineon | 功能相似 | TO-220-3-1 |
的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
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