Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 400 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.3A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-223
External dimensions/packaging: SOT-223
Other/Product Lifecycle: Unknown
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FJT44KTF
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-261-4 |
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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FJT44TF
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Fairchild | 功能相似 | TO-261-4 |
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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