Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOD-80
External dimensions/packaging: SOD-80
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Luguang Electronic | 类似代替 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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Panjit | 类似代替 | SOD-123 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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MMSZ5243B
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | SOD-123 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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Taiwan Semiconductor | 类似代替 | SOD-123 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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Micro Commercial Components | 类似代替 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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MMSZ5243B
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOD-123 |
DIODES INC. MMSZ5243B 单管二极管 齐纳, 13 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C
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TZM5243B-GS08
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VISHAY | 完全替代 | SOD-80 |
500mW，TZM52xxB 系列，Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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TZM5243B-GS08
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Vishay Small Signal | 完全替代 |
500mW，TZM52xxB 系列，Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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TZM5243B-GS08
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | SOD-80 |
500mW，TZM52xxB 系列，Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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