Technical parameters/forward voltage: 1V @0.015A
Technical parameters/forward current: 15 mA
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 100 mA
Technical parameters/forward current (Max): 0.07 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): 55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 225 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/length: 2.9 mm
External dimensions/width: 1.3 mm
External dimensions/height: 0.94 mm
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Physical parameters/operating temperature: 55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Comchip Technology | 功能相似 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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Infineon | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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SLKOR. | 功能相似 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Microsemi | 功能相似 | SOT-23 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04
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Taiwan Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-04LT1G
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BAS70-04LT1G 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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