Technical parameters/rated voltage (DC): -30.0 V
Technical parameters/rated current: -2.30 A
Technical parameters/polarity: P-CH
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 2.30 A
Technical parameters/rise time: 14.0 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 190pF @15V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 2 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF7104TRPBF
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Infineon | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7104TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -2.3 A, -20 V, 0.19 ohm, -10 V, -3 V
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IRF9953TRPBF
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Infineon | 类似代替 | SOIC-8 |
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF9953TRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | SOIC-8 |
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF9953TRPBF
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IFC | 类似代替 |
HEXFET® 双 P 通道功率 MOSFET，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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