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Model FQAF16N50

Description ON Semiconductor QFET Series Si N-channel MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3-pin TO-3PF package

Brand: ON Semiconductor

Packaging TO-3

Delivery time

Packaging method Tube

Standard packaging quantity 1

1+:

$ 44.9936

10+:

$ 42.4120

100+:

$ 40.4942

250+:

$ 40.1992

500+:

$ 39.9042

1000+:

$ 39.5722

2500+:

$ 39.2772

5000+:

$ 39.0928

Price	$ 44.9936	$ 42.4120	$ 40.4942	$ 40.1992	$ 39.9042
Start batch production	1+	10+	100+	250+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

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Technical parameters/dissipated power: 110 W

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 500 V

Technical parameters/rise time: 180 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 2300pF @25V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max): 110 W

Technical parameters/descent time: 100 ns

Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 110 W

Encapsulation parameters/installation method: Through Hole

Package parameters/number of pins: 3

Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-3

External dimensions/length: 15.7 mm

External dimensions/width: 5.7 mm

External dimensions/height: 16.7 mm

External dimensions/packaging: TO-3

Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃

Other/Product Lifecycle: Active

Other/Packaging Methods: Tube

Compliant with standards/RoHS standards:

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FQAF16N50	ON Semiconductor	功能相似	TO-3	QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQAF16N50	Fairchild	功能相似	TO-3-3	QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQAF16N50	Freescale	功能相似	TO-3-3	QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
IRFS350A	Fairchild	功能相似	TO-220-3	先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET	PDF