Technical parameters/power supply voltage (DC): 5.00 V, 5.50 V (max)
Technical parameters/clock frequency: 12.0 GHz
Technical parameters/access time: 12.0 ns
Technical parameters/memory capacity: 256000 B
Technical parameters/operating temperature (Max): 70 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): 0 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 4.5V ~ 5.5V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 28
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSOP-28
External dimensions/height: 1.02 mm
External dimensions/packaging: TSOP-28
Physical parameters/operating temperature: 0℃ ~ 70℃ (TA)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tray
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
CY7C199D-10ZXI
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Cypress Semiconductor | 类似代替 | TSOP-28 |
CY7C199D 系列 256-Kb (32 K x 8) 5 V 10 ns 静态 RAM - TSOP-28
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Samsung | 功能相似 | SOJ-28 |
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61C256AL-12JLI 芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28
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IS61C256AL-12JLI
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Integrated Silicon Solution | 功能相似 | BSOJ-28 |
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS61C256AL-12JLI 芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 12NS, SOJ-28
|
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IS61C256AL-12TLI
|
Integrated Silicon Solution | 功能相似 | TSOP-28 |
RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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