Technical parameters/forward voltage: 1V @15mA
Technical parameters/forward current: 70 mA
Technical parameters/forward voltage (Max): 1V @15mA
Technical parameters/operating temperature: 150℃ (Max)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-323-3
External dimensions/packaging: SOT-323-3
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAS70-04W,115
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Nexperia | 类似代替 | SOT-323-3 |
NXP BAS70-04W,115 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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BAS70-04W,115
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NXP | 类似代替 | SOT-323-3 |
NXP BAS70-04W,115 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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Philips | 类似代替 | SC-70 |
NXP BAS70-04W,115 小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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BAS70-05W
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Nexperia | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Philips | 类似代替 | SC-70 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Continental Device | 类似代替 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-05W
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NXP | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，高达 120mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAS70-05W,115
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NXP | 类似代替 | SOT-323-3 |
NXP BAS70-05W,115 小信号肖特基二极管, 双共阴极, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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Philips | 类似代替 | SC-70 |
NXP BAS70-05W,115 小信号肖特基二极管, 双共阴极, 70 V, 70 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C
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