Technical parameters/rated voltage (DC): 30.0 V
Technical parameters/rated current: 14.0 A
Technical parameters/product series: IRF7458
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 14.0 A
Technical parameters/rise time: 4.60 ns
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC
External dimensions/packaging: SOIC
Other/Product Lifecycle: End of Life
Other/Packaging Methods: Tape
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7458PBF
|
International Rectifier | 功能相似 | SOIC-8 |
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review