Technical parameters/Holding current (Max): 100 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/length: 10.54 mm
External dimensions/width: 4.57 mm
External dimensions/height: 9.02 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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25TTS12PBF
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VISHAY | 完全替代 | TO-220 |
25TTS 系列 1200 V 25 A 通孔 相位控制SCR - TO-220AB FULL-PAK
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25TTS12PBF
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Vishay Dale | 完全替代 |
25TTS 系列 1200 V 25 A 通孔 相位控制SCR - TO-220AB FULL-PAK
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VS-25TTS12-M3
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
晶闸管高电压，相位控制可控硅， 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
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VS-25TTS12-M3
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VISHAY | 类似代替 | TO-220 |
晶闸管高电压，相位控制可控硅， 25 A Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 25 A
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VS-25TTS12PBF
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Vishay Precision Group | 完全替代 | TO-220 |
Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
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VS-25TTS12PBF
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-220-3 |
Vishay Semiconductor ### 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
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