Technical parameters/rated voltage (DC): 1.20 kV
Technical parameters/rated current: 16.0 A
Technical parameters/capacitors: 27.0 pF
Technical parameters/output current: ≤16.0 A
Technical parameters/forward voltage: 3V @16A
Technical parameters/polarity: Standard
Technical parameters/reverse recovery time: 135 ns
Technical parameters/forward voltage (Max): 3V @16A
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-247-2
External dimensions/packaging: TO-247-2
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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VS-HFA16PB120PBF
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Vishay Precision Group | 类似代替 | TO-247 |
VISHAY VS-HFA16PB120PBF 标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 16 A, 3 V, 30 ns, 190 A
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VS-HFA16PB120PBF
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-247 |
VISHAY VS-HFA16PB120PBF 标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 16 A, 3 V, 30 ns, 190 A
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VS-HFA16PB120PBF
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VISHAY | 类似代替 | TO-247 |
VISHAY VS-HFA16PB120PBF 标准功率二极管, 单, 1.2 kV, 16 A, 3 V, 30 ns, 190 A
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VS-HFA16TB120PBF
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-220-2 |
HEXFRED® 超快恢复整流器，Vishay Semiconductor Vishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器，包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构，可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。 ### 特点 超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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VS-HFA16TB120PBF
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | TO-220-2 |
HEXFRED® 超快恢复整流器，Vishay Semiconductor Vishay HEXFRED® 系列产品是超快速恢复整流器，包含超快平面技术和基于专利肖特基挡板的内部结构，可在任何 diF/dt 条件下进行软和快速恢复操作。 这些特性意味着 HEXFRED® 产品非常适合用作用于 IGBT 和 MOSFET 的配套微二极管。 ### 特点 超快恢复时间 超软恢复 极低 IRRM 极低 Qrr 减少射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 降低二极管和开关晶体管中的功耗 减少减震 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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