Technical parameters/number of pins: 6
Technical parameters/drain source resistance: 0.03 Ω
Technical parameters/dissipated power: 2.4 W
Technical parameters/threshold voltage: 2.1 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30 V
Technical parameters/rise time: 21 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 805pF @15V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 900 mW
Technical parameters/descent time: 31 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 2400 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 6
Encapsulation parameters/Encapsulation: QFN-6
External dimensions/length: 2 mm
External dimensions/width: 2 mm
External dimensions/height: 0.75 mm
External dimensions/packaging: QFN-6
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: Communication and networking, consumer electronics, power management, portable devices
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFHS9301TRPBF
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IFC | 功能相似 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFHS9301TRPBF
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Infineon | 功能相似 | PQFN-6 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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