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Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 100 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 8A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: DPAK
External dimensions/packaging: DPAK
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJD127G
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-252-3 |
PNP 复合晶体管，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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Motorola | 功能相似 |
ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 2500 hFE
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