Technical parameters/rated voltage (DC): 240 V
Technical parameters/rated current: 260 mA
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/input capacitance: 97.0 pF
Technical parameters/gate charge: 5.50 nC
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 240 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 260 mA
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 97pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 1 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-89
External dimensions/packaging: SOT-89
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Nexperia | 类似代替 |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Philips | 类似代替 | SOT-89 |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS87
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Infineon | 类似代替 | SOT-89 |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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BSS87,115
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Nexperia | 功能相似 | SOT-89-3 |
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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BSS87,115
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NXP | 功能相似 | SOT-89-3 |
N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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