Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 120
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 250 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-236
External dimensions/length: 3 mm
External dimensions/width: 1.4 mm
External dimensions/height: 1 mm
External dimensions/packaging: TO-236
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BCW89
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW89
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
小信号 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW89
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Nexperia | 功能相似 | TO-236 |
小信号 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW89
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW89,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia BCW89,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:120, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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BCW89,215
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia BCW89,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:120, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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BCW89,215
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Philips | 功能相似 | TO-236 |
Nexperia BCW89,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:120, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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BCW89TRL
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NXP | 功能相似 |
TRANSISTOR 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
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