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Model 2N6027G

Description ON SEMICONDUCTOR 2N6027G Single transistor bipolar, 1 A, 1.25 µ A, 150 µ A, TO-92, 3 pins, 100 ° C

Brand: ON Semiconductor

Packaging TO-226-3

Delivery time

Packaging method Bulk

Standard packaging quantity 1

20+:

$ 0.2849

50+:

$ 0.2638

100+:

$ 0.2532

300+:

$ 0.2448

500+:

$ 0.2384

1000+:

$ 0.2342

5000+:

$ 0.2300

10000+:

$ 0.2258

Price	$ 0.2849	$ 0.2638	$ 0.2532	$ 0.2448	$ 0.2384
Start batch production	20+	50+	100+	300+	500+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

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Technical parameters/rated voltage (DC): 40.0 V

Technical parameters/rated current: 150 mA

Technical parameters/rated power: 350 mW

Technical parameters/output voltage: 11 V

Technical parameters/dissipated power: 300 mW

Technical parameters/thermal resistance: 200℃/W (RθJA)

Technical parameters/operating temperature (Max): 100 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): -50 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 300 mW

Encapsulation parameters/installation method: Through Hole

Package parameters/number of pins: 3

Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-226-3

External dimensions/length: 5.2 mm

External dimensions/width: 4.19 mm

External dimensions/height: 5.33 mm

External dimensions/packaging: TO-226-3

Physical parameters/operating temperature: -50℃ ~ 100℃

Other/Product Lifecycle: Active

Other/Packaging Methods: Bulk

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC

Customs information/ECCN code: EAR99

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
2N6027RL1	ON Semiconductor	完全替代	TO-226-3	可编程单结晶体管 Programmable Unijunction Transistor	PDF
2N6027RL1G	ON Semiconductor	完全替代	TO-226-3	2N6027：通用，2N6028：用于长间隔定时器和要求低漏电、低峰值电流的应用通过选择 2 个电路电阻器值，可以对以下单结特性进行编程：n, Rbb, Ip, IV 适用于计时器、高增益相位控制电路和弛张振荡器 TO92 封装绝对最大额定值 \| ---\|--- 最大栅阴-极正向电压 \| +40 V 最大栅-阴极反向电压 \| -5 V 最大栅-阳极反向电压 \| +40 V 最大阳极-阴极电压 \| ±40 V 直流阳极电流 \| 150 mA 正向重复峰值阳极电流 \| 1 A 正向不重复峰值阳极电流 \| 5 A 栅电流 \| ±20 mA 电容放电能量 \| 250 μJ 功率 \| 300 mW 电气特性 \| 峰值电流 (RG=10 k) 最大值 \| 5 μA 偏置电压 (RG=10 k) 最大值 \| 0.6 V 谷值电流 (RG=10 k) 最小值 \| 70 μA ### 可编程单结单结晶体管 (UJT) 是具有仅具有一个结点的电子半导体设备。 UJT 具有三个端子：一个发射极 (E) 和两个基极（B1 和 B2）。可编程单结晶体管或 PUT 与闸流晶体管相似，它包含四个 P-N 层。在正确的电路配置中，有两个编程电阻器用于设置参数 η，它们的行为与传统 UJT 相似。	PDF
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2N6027RLRAG	ON Semiconductor	完全替代	TO-226-3	ON SEMICONDUCTOR 2N6027RLRAG 单结晶体管, 可调, 2A, TO-92	PDF
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