Technical parameters/power supply current: 12 mA
Technical parameters/resistance: 10 kΩ
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 5 V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs Information/Hong Kong Import and Export License: NLR
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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AS5162-HSOM
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AMS | 类似代替 | SOIC-8 |
AS5162 12 位磁性角度位置传感器,ams AG AS5162 是基于霍尔的非接触式磁性位置传感器,用于在 360° 满转范围内进行高精确角度测量。 集成电路是 12 位旋转位置传感器,具有线性模拟输出和过电压保护。 360º 非接触式高分辨率角度位置感应 可编程应用地区起点和端点 锯齿模式斜率 1 至 4(每次旋转) 较大气隙,低成本磁铁 增加耐用性 ### 位置和移动传感器,ams AG
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AS5162-HSOM
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Austria Micro Systems | 类似代替 |
AS5162 12 位磁性角度位置传感器,ams AG AS5162 是基于霍尔的非接触式磁性位置传感器,用于在 360° 满转范围内进行高精确角度测量。 集成电路是 12 位旋转位置传感器,具有线性模拟输出和过电压保护。 360º 非接触式高分辨率角度位置感应 可编程应用地区起点和端点 锯齿模式斜率 1 至 4(每次旋转) 较大气隙,低成本磁铁 增加耐用性 ### 位置和移动传感器,ams AG
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