Technical parameters/forward voltage: 1.05 V
Technical parameters/thermal resistance: 2.5℃/W (RθJC)
Technical parameters/forward current: 15 A
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 200 A
Technical parameters/forward current (Max): 3.4 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/working junction temperature (Max): 150 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 4
Encapsulation parameters/Encapsulation: SIP-4
External dimensions/length: 22.3 mm
External dimensions/width: 4.1 mm
External dimensions/height: 18.8 mm
External dimensions/packaging: SIP-4
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BU1506-E3/51
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | SIP-4 |
Diode Rectifier Bridge Single 600V 3.4A 4Pin Case BU Bulk
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VISHAY | 类似代替 | BU |
Diode Rectifier Bridge Single 600V 3.4A 4Pin Case BU Bulk
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BU15065S-E3/45
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | BU-5S |
BU 系列，Vishay Semiconductor BU 系列桥式整流器，采用 SIL 印刷电路板安装封装，来自 Vishay Semiconductor。 通用交流/直流全波桥式整流器，适用于家用电器和白色家电应用中的线性和开关电源。 这些整流器具有增强的 isoCink+™ 大电流密度单列直插式封装，具有卓越的导热性。 增强型 isoCink+™ SIL 封装 经测试符合 UL 标准，确保电气隔离半导体设备的安全。 UL 1557。 增强型高电流密度单列直插式封装 卓越的热导性 焊接引脚，用于印刷电路板 (PCB) 通孔安装 ### 桥式整流器 - Vishay Semiconductor 桥式整流器将交流 (AC) 输入转换为直流 (DC) 输出，用于全波整流应用。 二极管排列为任一输入极性提供相同的输出极性。 三相全波整流器是桥式电路配置中的六个二极管的排列。 封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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