Technical parameters/tolerances: ±5 %
Technical parameters/dissipated power: 1 W
Technical parameters/test current: 28 mA
Technical parameters/voltage regulation value: 9.1 V
Technical parameters/rated power (Max): 1 W
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1000 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-213AB-2
External dimensions/length: 5.2 mm
External dimensions/width: 2.6 mm
External dimensions/height: 2.6 mm
External dimensions/packaging: DO-213AB-2
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ZM4739A-GS08
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | DO-213AB |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101
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ZM4739A-GS08
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Vishay Siliconix | 功能相似 |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101
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ZM4739A-GS08
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LiteOn | 功能相似 | DO-213AB |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101
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ZMY9V1-GS08
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | DO-213AB |
1W，ZMY 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZMY9V1-GS08
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VISHAY | 功能相似 | DO-213 |
1W，ZMY 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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