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Technical parameters/dissipated power: 1 W
Technical parameters/test current: 10 mA
Technical parameters/voltage regulation value: 43 V
Technical parameters/regulated current: 17 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-213
External dimensions/packaging: DO-213
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Minimum Packaging: 5000
Compliant with standards/RoHS standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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ZM4755A-GS08
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Vishay Siliconix | 功能相似 | 2 |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZM4755A-GS08
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VISHAY | 功能相似 | DO-213AB |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | DO-41 |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZM4755A-GS08
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | DO-213AB |
1W，ZM47xxA 系列，Vishay Semiconductor 硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 标准齐纳电压容差为 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor
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ZM4755A-GS18
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | DO-213AB |
Diode Zener Single 43V 5% 1W 2Pin MELF T/R
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VISHAY | 功能相似 | DO-213AB-2 |
Diode Zener Single 43V 5% 1W 2Pin MELF T/R
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