Technical parameters/forward voltage: 2.65V @8A
Technical parameters/reverse recovery time: 28 ns
Technical parameters/forward current: 8 A
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 80 A
Technical parameters/forward voltage (Max): 2.65 V
Technical parameters/forward current (Max): 8 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-2
External dimensions/length: 10.67 mm
External dimensions/width: 4.83 mm
External dimensions/height: 9.02 mm
External dimensions/packaging: TO-220-2
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Each
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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VISHAY | 功能相似 | TO-263 |
高压超快整流器 High Voltage Ultrafast Rectifier
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UHF8JT-E3/45
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VISHAY | 类似代替 | TO-220 |
6A 至 12A，Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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UHF8JT-E3/45
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-220-2 |
6A 至 12A，Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器，具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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VS-ETH0806FP-M3
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VISHAY | 完全替代 | TO-220-3 |
FRED Pt® 超快恢复整流器，高达 10A Vishay FRED Pt®（高速恢复外延二极管）产品系列是超快二极管，包含掺铂 (Pt) 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流，及 175°C 的最高连接温度。 典型恢复时间 60 秒或更少。 ### 系列特征 系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr，125°C 时 最低 VF，IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复，用于降低 EMI，在高 dIF/dt 下 TJ（最大）175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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VS-ETH0806FP-M3
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-220-2 |
FRED Pt® 超快恢复整流器，高达 10A Vishay FRED Pt®（高速恢复外延二极管）产品系列是超快二极管，包含掺铂 (Pt) 技术。 此系列在高温度下提供极低泄漏电流，及 175°C 的最高连接温度。 典型恢复时间 60 秒或更少。 ### 系列特征 系列特征 VRRM 从 200V 到 600V 最低 Qrr，125°C 时 最低 VF，IF 时 提高开关模式电源效率 软恢复，用于降低 EMI，在高 dIF/dt 下 TJ（最大）175 °C 符合 AEC-Q101 ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor
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