Technical parameters/forward voltage: 1.3V @20A
Technical parameters/reverse recovery time: 25 ns
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 200 V
Technical parameters/forward current: 8 A
Technical parameters/maximum reverse leakage current (Ir): 10 uA
Technical parameters/forward current (Max): 8 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-2
External dimensions/packaging: TO-220-2
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BYW29-200
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-220-2 |
高效快速恢复整流二极管 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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BYW29-200
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-220-2 |
高效快速恢复整流二极管 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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BYW29-200
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NXP | 功能相似 |
高效快速恢复整流二极管 HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
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BYW29-200-E3/45
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-220-2 |
6A 至 12A,Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器,具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
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BYW29-200-E3/45
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VISHAY | 完全替代 | TO-220 |
6A 至 12A,Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器,具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
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BYW29-200-E3/45
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-220 |
6A 至 12A,Vishay Semiconductor Vishay 超快恢复整流器,具有非常快速的低至 15ns 反向恢复时间和高达 1500V 的电压级别。 典型应用包括较高频率切换模式电源 (SMPS)、反相器和续流二极管。 ### 二极管和整流器,Vishay Semiconductor
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