Technical parameters/rated current: 10 A
Technical parameters/forward voltage: 1.4 V
Technical parameters/Holding current (Max): 100 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 125 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-220-3
External dimensions/height: 9.02 mm
External dimensions/packaging: TO-220-3
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 125℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Teccor | 完全替代 |
相位控制可控硅， 10 A Phase Control SCR, 10 A
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16TTS08
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-220-3 |
相位控制可控硅， 10 A Phase Control SCR, 10 A
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16TTS08
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VISHAY | 完全替代 | TO-220-3 |
相位控制可控硅， 10 A Phase Control SCR, 10 A
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Infineon | 完全替代 |
相位控制可控硅， 10 A Phase Control SCR, 10 A
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16TTS08PBF
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VISHAY | 类似代替 | TO-220 |
16TT 系列 800 V 16 A 法兰安装 相位控制 SCR - TO-220AB
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-220 |
16TT 系列 800 V 16 A 法兰安装 相位控制 SCR - TO-220AB
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16TTS08PBF
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-220-2 |
16TT 系列 800 V 16 A 法兰安装 相位控制 SCR - TO-220AB
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VS-16TTS08-M3
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
Vishay Semiconductor 闸流晶体管 - Vishay Semiconductor 闸流晶体管是一种固态半导体设备，具有四层交替的 N 型和 P 型材料。 它们充当双稳态开关，当它们的栅极接收到电流触发时发挥作用，并在处于正向偏压时继续发挥作用。 闸流晶体管与硅控整流器 (SCR) 同义。 带电气隔离底板的密封模块。 适合电池充电器、电焊机、电镀设备以及稳压电源、温度和速度控制电路等应用。
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