Technical parameters/power supply voltage (DC): 2.50V (min)
Technical parameters/power supply current: 700 µA
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -25 ℃
Technical parameters/power supply voltage: 2.5V ~ 5.5V
Technical parameters/power supply voltage (Max): 5.5 V
Technical parameters/power supply voltage (Min): 2.5 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: Side Looker
External dimensions/height: 6.95 mm
External dimensions/packaging: Side Looker
Physical parameters/operating temperature: -25℃ ~ 85℃ (TA)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Each
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TSOP58336
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Vishay Semiconductor | 完全替代 |
VISHAY TSOP58336 红外接收器, 远程控制, 36 kHz, 40m, 45 °, 5.5 V, 2.5 V, -25 °C
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TSOP58336
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VISHAY | 完全替代 |
VISHAY TSOP58336 红外接收器, 远程控制, 36 kHz, 40m, 45 °, 5.5 V, 2.5 V, -25 °C
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TSOP58338
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Vishay Semiconductor | 完全替代 |
IR 远程控制接收器，通孔封装，Vishay Semiconductor Vishay IR 接收器用于远程控制和红外通信应用、红外代码学习/转发器、红外光挡板和红外接近传感器。 红外接收器在 840 nm 到 960 nm 的波长范围内工作。 高灵敏度，长传输范围 30KHz 至 56KHz 的载波频率 ### IR 远程控制接收器，Vishay Semiconductor
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TSOP58438
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Vishay Semiconductor | 完全替代 |
IR 远程控制接收器，通孔封装，Vishay Semiconductor Vishay IR 接收器用于远程控制和红外通信应用、红外代码学习/转发器、红外光挡板和红外接近传感器。 红外接收器在 840 nm 到 960 nm 的波长范围内工作。 高灵敏度，长传输范围 30KHz 至 56KHz 的载波频率 ### IR 远程控制接收器，Vishay Semiconductor
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TSOP58438
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VISHAY | 完全替代 | - |
IR 远程控制接收器，通孔封装，Vishay Semiconductor Vishay IR 接收器用于远程控制和红外通信应用、红外代码学习/转发器、红外光挡板和红外接近传感器。 红外接收器在 840 nm 到 960 nm 的波长范围内工作。 高灵敏度，长传输范围 30KHz 至 56KHz 的载波频率 ### IR 远程控制接收器，Vishay Semiconductor
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