Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 40 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 50A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: DPAK
External dimensions/packaging: DPAK
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDD8453LZ
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-252-3 |
N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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