Technical parameters/rated voltage (DC): | 30.0 V |
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Technical parameters/operating voltage: | 5.00 V |
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Technical parameters/output voltage: | ≤30.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage: | 30.0 V |
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Technical parameters/number of pins: | 2 |
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Technical parameters/wavelength: | 880 nm |
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Technical parameters/perspective: | 8° |
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Technical parameters/peak wavelength: | 880 nm |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 100 mW |
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Technical parameters/power consumption: | 100 mW |
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Technical parameters/rise time: | 5.00 µs |
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Technical parameters/output power: | 100 mW |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 30 V |
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Technical parameters/rated power (Max): | 100 mW |
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Technical parameters/descent time: | 5 µs |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 100 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 100 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 2 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | T-1 |
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Dimensions/Length: | 3.94 mm |
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Dimensions/Width: | 3.94 mm |
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Dimensions/Height: | 5.66 mm |
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Dimensions/Packaging: | T-1 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 100℃ (TA) |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Packaging Methods: | Bulk |
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