Technical parameters/dissipated power: | 500 mW |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 150 MHz |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 300 @1mA, 5V |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 65 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SSmini-6 |
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Dimensions/Length: | 1.7 mm |
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Dimensions/Width: | 1.3 mm |
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Dimensions/Height: | 0.6 mm |
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Dimensions/Packaging: | SSmini-6 |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Philips | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 450mW Automotive 3Pin TO-236AB
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PBSS5140T
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NXP | 功能相似 | TO-236 |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 450mW Automotive 3Pin TO-236AB
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PBSS5140T
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23 |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 450mW Automotive 3Pin TO-236AB
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PBSS5140U
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NXP | 功能相似 | SOT-323 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5140U
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Nexperia | 功能相似 | UMT |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5140U
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Philips | 功能相似 | SOT-323 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PMMT591A
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Nexperia | 功能相似 | TO-236 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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