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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 3.50V (min) |
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Technical parameters/output current: | 100 nA |
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Technical parameters/power supply current: | 0.3 mA |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 7.5 mV |
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Technical parameters/input bias current: | 100 nA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 70 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 0 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | 0℃ ~ 70℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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LP311D
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LP311D 模拟比较器, 单路, 低功耗, 1, 1.2 µs, 3.5V 至 30V, SOIC, 8 引脚
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Rochester | 完全替代 | SOP |
LP 系列低功耗比较器 ### 比较器，Texas Instruments Texas Instruments 系列电压比较器不仅包括传统单、双和四路比较器封装，还包括窗口比较器及过压和欠压监控器。 尽管比较器和运算放大器表面上是相似的设备，但它们在实用应用中的操作大大不同。 运算放大器适用于线性操作，附带适当反馈，而比较器定制用于快速切换且通常在开路模式中操作。 专用电压比较器具有明显较短的传播延迟，且可在饱和条件下具有更快的响应时间。 大多数比较器还更耐受高差分输入电压，且很多比较器具有开路集电极输出，从而可与其他设备并联操作。
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