Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 60 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 0.8A |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23 |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23 |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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MMBT4354
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National Semiconductor | 功能相似 |
PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MMBT4354
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Fairchild | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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