Technical parameters/rated power: | 360 mW |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.36 W |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 60 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23 |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23 |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | PB free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSS83P
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Infineon | 完全替代 | SOT-23-3 |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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