Technical parameters/power supply voltage (DC): | 16.0 V |
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Technical parameters/output current: | 7mA @5V |
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Technical parameters/power supply current: | 625 µA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.396 W |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 65 dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 2.00 µV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 3 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 2.10 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 3 MHz |
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Technical parameters/Over temperature protection: | No |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 500 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 1 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
| ||||||||||||||||||||
Technical parameters/gain bandwidth: | 3 MHz |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 396 mW |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 65 dB |
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Technical parameters/power supply voltage: | 2.7V ~ 16V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 16 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.7 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TLC272AID
|
TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS TLC272AID 运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚
|
||
TLV272IDR
|
TI | 完全替代 | SOIC-8 |
BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments
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