Technical parameters/rise/fall time: | 17ns, 5ns |
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Technical parameters/output voltage: | 7.00 V |
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Technical parameters/output current: | 0.015 A |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/forward voltage: | 1.75V (Max) |
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Technical parameters/input current: | 15 mA |
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Technical parameters/dissipated power: | 85 mW |
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Technical parameters/data rate: | 10.0 Mbps |
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Technical parameters/rise time: | 17 ns |
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Technical parameters/isolation voltage: | 3750 Vrms |
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Technical parameters/forward current: | 50 mA |
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Technical parameters/input current (Min): | 50 mA |
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Technical parameters/breakdown voltage: | 5 V |
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Technical parameters/forward voltage (Max): | 1.75 V |
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Technical parameters/forward current (Max): | 50 mA |
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Technical parameters/descent time: | 0.005 µs |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 85 mW |
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Technical parameters/power supply voltage: | 4.5V ~ 5.5V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5.13 mm |
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Dimensions/Width: | 4.16 mm |
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Dimensions/Height: | 3.43 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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