Technical parameters/rise/fall time: | 24ns, 10ns |
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Technical parameters/number of circuits: | 1 |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/forward voltage: | 1.5 V |
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Technical parameters/dissipated power: | 85 mW |
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Technical parameters/rise time: | 0.045 µs |
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Technical parameters/isolation voltage: | 3.75 kV |
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Technical parameters/forward current: | 20 mA |
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Technical parameters/forward voltage (Max): | 1.75 V |
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Technical parameters/forward current (Max): | 20 mA |
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Technical parameters/descent time: | 0.02 µs |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 85 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Height: | 3.18 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Each |
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Other/Manufacturing Applications: | Industry, Computer-peripheral interfaces, |Field buses, Signal Processing, Ground loop elimination, Digital isolation for A/D, D/A conversion, Communication and Networking, Power Management, Instrument Input/Output Isolation, Industrial, Computer, Pulse Transformer Replacement, Communications, Power Management, Computers& Computer Peripherals |
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Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Contains Lead |
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Complian Alternative material
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