Technical parameters/frequency: | 90 MHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | 150 V |
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Technical parameters/rated current: | 5.00 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 3 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 150 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 5A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 100 @1A, 5V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 100 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 3 W |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 200 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 3000 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 4 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-261-4 |
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Dimensions/Length: | 6.7 mm |
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Dimensions/Width: | 3.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1.65 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-261-4 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Defense, Industry, Power Management, Military and Aviation, Automotive |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: Alternative material
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