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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 15.0 V |
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Technical parameters/operating voltage: | 1.35V ~ 18V |
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Technical parameters/power supply current: | 175 µA |
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Technical parameters/number of circuits: | 1 |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 90 dB |
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Technical parameters/Static current: | 175 µA |
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Technical parameters/bandwidth: | 200 kHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 40.0 mV/μs |
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Technical parameters/gain: | 10.0 kdB |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 250 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 10 nA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/3dB bandwidth: | 200 kHz |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 74 dB |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 30V ~ 50V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.7 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manufacturing Applications: |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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INA126U
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National Semiconductor | 类似代替 | 8 |
Texas Instruments ### 仪器放大器，Texas Instruments 仪器放大器是复合差分放大器块，通常包含经典的三个操作放大器配置。 它们提供高输出阻抗、极高的共模抑制，且可通过内部或外部电阻器准确设置差分增益。 差分放大器提供低直流偏移且偏移耦合了高开路增益和低噪音，通常用于高精确测试和测量应用，及电气嘈杂环境。
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INA126U
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
Texas Instruments ### 仪器放大器，Texas Instruments 仪器放大器是复合差分放大器块，通常包含经典的三个操作放大器配置。 它们提供高输出阻抗、极高的共模抑制，且可通过内部或外部电阻器准确设置差分增益。 差分放大器提供低直流偏移且偏移耦合了高开路增益和低噪音，通常用于高精确测试和测量应用，及电气嘈杂环境。
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INA126UA/2K5
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TI | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS INA126UA/2K5 仪器放大器, 2个放大器, 500 µV, 0.4 V/µs, 200 kHz, 2.7V 至 36V, ± 1.35V 至 ± 18V, SOIC 新
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