IS61WV25616EDBLL-10TLI In Stock|PDF|Datasheet|Price|Agent[IS61WV25616EDBLL-10TLI Alternative|Silk Screen|Technology|Solution Development]-ICGOODFIND

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Model IS61WV25616EDBLL-10TLI

Description RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

Brand: Integrated Silicon Solution

Packaging TSOP-44

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Technical parameters/power supply current:	35 mA
Technical parameters/number of pins:	44
Technical parameters/digits:	16
Technical parameters/access time:	10 ns
Technical parameters/access time (Max):	10 ns
Technical parameters/operating temperature (Max):	85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min):	-40 ℃
Technical parameters/power supply voltage:	2.4V ~ 3.6V
Encapsulation parameters/installation method:	Surface Mount
Package parameters/number of pins:	44
Encapsulation parameters/Encapsulation:	TSOP-44
Dimensions/Length:	18.54 mm
Dimensions/Width:	10.29 mm
Dimensions/Height:	1.05 mm
Dimensions/Packaging:	TSOP-44
Physical parameters/operating temperature:	-40℃ ~ 85℃ (TA)
Other/Product Lifecycle:	Active
Compliant with standards/RoHS standards:	RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards:	Lead Free
Customs information/ECCN code:	EAR99

Alternative material

	Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
	IS61WV25616BLL-10TLI	Integrated Silicon Solution	完全替代	TSOP-44	RAM，ISSI ISSI 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）	PDF
	IS61WV25616BLL-10TLI-TR	Integrated Silicon Solution	完全替代	TSOP-44	静态随机存取存储器 4Mb 256Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v	PDF