Technical parameters/power supply voltage (DC): | 10.0V (min) |
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Technical parameters/rise/fall time: | 22ns, 18ns |
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Technical parameters/number of output interfaces: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/dissipated power: | 625 mW |
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Technical parameters/Static current: | 240 µA |
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Technical parameters/rise time: | 38 ns |
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Technical parameters/descent time: | 30 ns |
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Technical parameters/descent time (Max): | 30 ns |
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Technical parameters/rise time (Max): | 38 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 625 mW |
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Technical parameters/power supply voltage: | 10V ~ 20V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 20 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 10 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Power Management, Industrial, Industrial, Power Management |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRS21867STRPBF
|
Infineon | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRS21867STRPBF 芯片, 驱动器, IGBT/MOSFET, 4A, 8SOIC
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IRS21867STRPBF
|
International Rectifier | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRS21867STRPBF 芯片, 驱动器, IGBT/MOSFET, 4A, 8SOIC
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