Technical parameters/frequency: | 2 GHz |
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Technical parameters/rated current: | 120 mA |
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Technical parameters/number of pins: | 4 |
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Technical parameters/dissipated power: | 725 mW |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 5 V |
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Technical parameters/output power: | 20.4 dBm |
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Technical parameters/gain: | 16.6 dB |
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Technical parameters/test current: | 60 mA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 725 mW |
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Technical parameters/rated voltage: | 5 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 4 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-343 |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-343 |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | RF Communications, RF communication |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with standard/REACH SVHC version: | 2015/12/17 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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ATF-54143-BLKG
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HP | 完全替代 |
N 通道 HEMT，Avago Technologies 高电子迁移率晶体管（HEMT，也称为异质结构或异质结 FET）是结型 FET，利用两种材料，具有不同带隙（即异质结），用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型，具有 E-pHEMT 设备，正成为增强模式类型。 ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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ATF-54143-TR1
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AVAGO Technologies | 完全替代 | SOT-343 |
Trans FET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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ATF-54143-TR1
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Agilent | 完全替代 | SC-70 |
Trans FET N-CH 5V 120mA pHEMT 4Pin(3+Tab) SOT-343 T/R
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