Technical parameters/power supply voltage (DC): | 20.0V (max) |
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Technical parameters/rise/fall time: | 80ns, 40ns |
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Technical parameters/number of output interfaces: | 1 |
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Technical parameters/output voltage: | 10V ~ 20V |
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Technical parameters/output current: | 200 mA |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/dissipated power: | 625 mW |
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Technical parameters/product series: | IR2118 |
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Technical parameters/Static current: | 70 µA |
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Technical parameters/rise time: | 80 ns |
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Technical parameters/descent time: | 40 ns |
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Technical parameters/descent time (Max): | 65 ns |
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Technical parameters/rise time (Max): | 130 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 625 mW |
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Technical parameters/power supply voltage: | 10V ~ 20V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 20 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 10 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IR2118SPBF
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Infineon | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IR2118SPBF 集成电路, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
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IR2118SPBF
|
International Rectifier | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IR2118SPBF 集成电路, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 105ns延迟, SOIC-8
|
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IR2118STR
|
Infineon | 完全替代 | SOIC-8 |
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
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IR2118STR
|
International Rectifier | 完全替代 | SOIC-8 |
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
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