Technical parameters/rated voltage (DC): | 55.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 110 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.008 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 200 W |
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Technical parameters/product series: | IRFP064N |
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Technical parameters/threshold voltage: | 4 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 4000pF @25V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 55 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 55 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±20.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 110 A |
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Technical parameters/rise time: | 100 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 4000pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 200 W |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-247-3 |
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Dimensions/Length: | 15.9 mm |
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Dimensions/Height: | 20.3 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-247-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Rail, Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRFP064PBF
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VISHAY | 功能相似 | TO-247-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFP064PBF
|
Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
||
IRFP064PBF
|
International Rectifier | 功能相似 |
功率MOSFET Power MOSFET
|
|||
IRFP064PBF
|
Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-247 |
功率MOSFET Power MOSFET
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||
IRFP064PBF
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-247-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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