Technical parameters/frequency: | 1 MHz |
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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 9.50 V, 15.0 V (max) |
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Technical parameters/rise/fall time: | 10 ns |
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Technical parameters/number of output interfaces: | 4 |
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Technical parameters/output voltage: | 86.3 V |
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Technical parameters/output current: | 2.5 A |
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Technical parameters/number of channels: | 4 |
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Technical parameters/dissipated power: | 0.47 W |
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Technical parameters/rise time: | 25 ns |
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Technical parameters/output current (Max): | 2.5 A |
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Technical parameters/descent time: | 25 ns |
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Technical parameters/descent time (Max): | 25 ns |
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Technical parameters/rise time (Max): | 25 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 470 mW |
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Technical parameters/power supply voltage: | 9.5V ~ 15V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 15 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 9.5 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 20 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-20 |
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Dimensions/Length: | 13 mm |
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Dimensions/Width: | 7.6 mm |
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Dimensions/Height: | 2.35 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-20 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manufacturing Applications: | Powe Alternative material
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