Technical parameters/digital logic level: | SAR |
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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 4.75V (min) |
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Technical parameters/power supply current: | 10 mA |
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Technical parameters/number of circuits: | 1 |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 20 |
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Technical parameters/digits: | 12 |
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Technical parameters/dissipated power: | 70 mW |
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Technical parameters/sampling rate: | 250 ksps |
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Technical parameters/power consumption: | 155 mW |
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Technical parameters/Analog to Digital Conversion (ADC): | 1 |
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Technical parameters/number of inputs: | 1 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 100 mW |
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Technical parameters/number of input channels: | 1 |
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Technical parameters/power supply voltage: | 4.75V ~ 5.25V |
| |||||||||||||||||||
Technical parameters/power supply voltage (Max): | 5.25 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 4.75 V |
| |||||||||||||||||||
Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 20 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-20 |
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Dimensions/Length: | 12.8 mm |
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Dimensions/Width: | 7.52 mm |
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Dimensions/Height: | 2.35 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-20 |
| |||||||||||||||||||
Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
| |||||||||||||||||||
Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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ADS8509IDW
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National Semiconductor | 类似代替 | 20 |
TEXAS INSTRUMENTS ADS8509IDW 芯片, 模数转换器, 16位, 250KSPS, SOIC-20
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ADS8509IDW
|
TI | 类似代替 | SOIC-20 |
TEXAS INSTRUMENTS ADS8509IDW 芯片, 模数转换器, 16位, 250KSPS, SOIC-20
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