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Technical parameters/tolerances: | ±0.1 % |
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Technical parameters/Input voltage (DC): | 3.20V ~ 18.0V |
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Technical parameters/output voltage: | 3 V |
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Technical parameters/output current: | 10 mA |
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Technical parameters/power supply current: | 1.2 mA |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/Static current: | 800 µA |
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Technical parameters/Input voltage (Max): | 18 V |
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Technical parameters/output voltage (Max): | 3 V |
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Technical parameters/output voltage (Min): | 3 V |
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Technical parameters/output current (Max): | 10 mA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/accuracy: | ±0.1 % |
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Technical parameters/input voltage: | 3.2V ~ 18V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 125℃ (TA) |
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Physical parameters/temperature coefficient: | ±8 ppm/℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with standard/REACH SVHC version: | 2015/06/15 |
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Customs information/ECCN code: | EAR99 | <
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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REF5030AIDR
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TI | 完全替代 | SOIC-8 |
低噪声，极低漂移，高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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Burr Brown | 完全替代 |
串联电压参考，固定，2.5V 至 3.3V ### 电压参考，Texas Instruments 精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑，并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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