Technical parameters/output current: | ≤80 mA |
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Technical parameters/power supply current: | 3.1 mA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/dissipated power: | 725 mW |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 80dB ~ 98dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 2.40 µV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 9.4 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 40.0 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 9.4 MHz |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 1.1 mV |
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Technical parameters/input bias current: | 20 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 70 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 0 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 10 MHz |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 725 mW |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 70 dB |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 38 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 4.5 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | 0℃ ~ 70℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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