Technical parameters/frequency: | 500 MHz |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/rated voltage (DC): | 40.0 V |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/rated current: | 2.5 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 31.7 W |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 40 V |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 40 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 2.50 A |
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Technical parameters/output power: | 3 W |
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Technical parameters/gain: | 17 dB |
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Technical parameters/test current: | 50 mA |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 36pF @12.5V(Vds) |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/operating temperature (Max): | 165 ℃ |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 31700 mW |
| |||||||||||||||||||||
Technical parameters/rated voltage: | 40 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | PowerSO-10RF |
| |||||||||||||||||||||
Dimensions/Length: | 7.5 mm |
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Dimensions/Width: | 9.4 mm |
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Dimensions/Height: | 3.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | PowerSO-10RF |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 165℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
| |||||||||||||||||||||
Other/Manufacturing Applications: | Power Management, Commercial, Industrial, Power management, commercial, industrial |
| |||||||||||||||||||||
Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PD55003S-E
|
ST Microelectronics | 完全替代 | PowerSO-10RF |
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
||
PD55003TR-E
|
ST Microelectronics | 类似代替 | PowerSO-10RF |
RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
|
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