Technical parameters/digital logic level: | CMOS |
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Technical parameters/power supply voltage (DC): | 15.0 V, 18.0 V (max) |
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Technical parameters/operating voltage: | 3V ~ 18V |
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Technical parameters/output current: | 6.8 mA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 16 |
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Technical parameters/digits: | 2 |
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Technical Parameters/Voltage Wave Node: | 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V |
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Technical parameters/dissipated power: | 500 mW |
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Technical parameters/number of logic gates: | 2 |
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Technical parameters/Input capacitance: | 5.00 pF |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/power supply voltage: | 3V ~ 18V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 18 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 3 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 16 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | PDIP-16 |
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Dimensions/Length: | 19.3 mm |
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Dimensions/Width: | 6.35 mm |
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Dimensions/Height: | 4.57 mm |
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Dimensions/Packaging: | PDIP-16 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 125℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manufacturing Applications: | signal processing |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead s Alternative material
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