Technical parameters/rated voltage (DC): | 40.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 150 mA |
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Technical parameters/rated power: | 350 mW |
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Technical parameters/output voltage: | 11 V |
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Technical parameters/dissipated power: | 300 mW |
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Technical parameters/thermal resistance: | 200℃/W (RθJA) |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 100 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -50 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 300 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-226-3 |
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Dimensions/Length: | 5.2 mm |
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Dimensions/Width: | 4.19 mm |
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Dimensions/Height: | 5.33 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-226-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -50℃ ~ 100℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Bulk |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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Customs information/ECCN code: | EAR99 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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2N6027RL1
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-226-3 |
可编程单结晶体管 Programmable Unijunction Transistor
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2N6027RL1G
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-226-3 |
2N6027:通用,2N6028:用于长间隔定时器和要求低漏电、低峰值电流的应用 通过选择 2 个电路电阻器值,可以对以下单结特性进行编程:n, Rbb, Ip, IV 适用于计时器、高增益相位控制电路和弛张振荡器 TO92 封装 **绝对最大额定值 ** | ---|--- 最大栅阴-极正向电压 | +40 V 最大栅-阴极反向电压 | -5 V 最大栅-阳极反向电压 | +40 V 最大阳极-阴极电压 | ±40 V 直流阳极电流 | 150 mA 正向重复峰值阳极电流 | 1 A 正向不重复峰值阳极电流 | 5 A 栅电流 | ±20 mA 电容放电能量 | 250 μJ 功率 | 300 mW **电气特性 ** | 峰值电流 (RG=10 k) 最大值 | 5 μA 偏置电压 (RG=10 k) 最大值 | 0.6 V 谷值电流 (RG=10 k) 最小值 | 70 μA ### 可编程单结 单结晶体管 (UJT) 是具有仅具有一个结点的电子半导体设备。 UJT 具有三个端子:一个发射极 (E) 和两个基极(B1 和 B2)。 可编程单结晶体管或 PUT 与闸流晶体管相似,它包含四个 P-N 层。 在正确的电路配置中,有两个编程电阻器用于设置参数 η,它们的行为与传统 UJT 相似。
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2N6027RL1G
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Rochester | 完全替代 | CASE 029 |
2N6027:通用,2N6028:用于长间隔定时器和要求低漏电、低峰值电流的应用 通过选择 2 个电路电阻器值,可以对以下单结特性进行编程:n, Rbb, Ip, IV 适用于计时器、高增益相位控制电路和弛张振荡器 TO92 封装 **绝对最大额定值 ** | ---|--- 最大栅阴-极正向电压 | +40 V 最大栅-阴极反向电压 | -5 V 最大栅-阳极反向电压 | +40 V 最大阳极-阴极电压 | ±40 V 直流阳极电流 | 150 mA 正向重复峰值阳极电流 | 1 A 正向不重复峰值阳极电流 | 5 A 栅电流 | ±20 mA 电容放电能量 | 250 μJ 功率 | 300 mW **电气特性 ** | 峰值电流 (RG=10 k) 最大值 | 5 μA 偏置电压 (RG=10 k) 最大值 | 0.6 V 谷值电流 (RG=10 k) 最小值 | 70 μA ### 可编程单结 单结晶体管 (UJT) 是具有仅具有一个结点的电子半导体设备。 UJT 具有三个端子:一个发射极 (E) 和两个基极(B1 和 B2)。 可编程单结晶体管或 PUT 与闸流晶体管相似,它包含四个 P-N 层。 在正确的电路配置中,有两个编程电阻器用于设置参数 η,它们的行为与传统 UJT 相似。
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2N6027RLRAG
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-226-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6027RLRAG 单结晶体管, 可调, 2A, TO-92
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2N6027RLRAG
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Motorola | 完全替代 |
ON SEMICONDUCTOR 2N6027RLRAG 单结晶体管, 可调, 2A, TO-92
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